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IXFH80N65X2-4
MOSFET N-CH
Numero di parte
IXFH80N65X2-4
Produttore/Marchio
Serie
HiPerFET™
Stato della parte
Active
Confezione
-
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-4
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-247-4L
Dissipazione di potenza (massima)
890W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
80A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
140nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
8300pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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