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IXFH32N50Q

IXFH32N50Q

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
Numero di parte
IXFH32N50Q
Produttore/Marchio
Serie
HiPerFET™
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-247AD (IXFH)
Dissipazione di potenza (massima)
360W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
32A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
190nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4925pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di IXFH32N50Q
IXFH32N50Q Componenti elettronici
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