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IXFH18N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Numero di parte
IXFH18N100Q3
Produttore/Marchio
Serie
HiPerFET™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-247AD (IXFH)
Dissipazione di potenza (massima)
830W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
18A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4890pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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