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IXFA6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
Numero di parte
IXFA6N120P
Produttore/Marchio
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-263 (IXFA)
Dissipazione di potenza (massima)
250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
6A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
92nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2830pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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