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IXDN602SI
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Numero di parte
IXDN602SI
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tipo di ingresso
Non-Inverting
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SOIC-EP
Tensione - Alimentazione
4.5 V ~ 35 V
Tipo di canale
Independent
Configurazione guidata
Low-Side
Numero di conducenti
2
Tipo di cancello
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione logica - VIL, VIH
0.8V, 3V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)
2A, 2A
Tensione lato alta: massima (bootstrap)
-
Orario di salita/discesa (tip.)
7.5ns, 6.5ns
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