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IRLS3036PBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2-PAK
Numero di parte
IRLS3036PBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Discontinued at Digi-Key
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
D2PAK
Dissipazione di potenza (massima)
380W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
195A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 165A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
140nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
11210pF @ 50V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±16V
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