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IRLR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Numero di parte
IRLR120NTRPBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
D-Pak
Dissipazione di potenza (massima)
48W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
185 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
20nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4V, 10V
Vg (massimo)
±16V
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