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IRLMS2002GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
Numero di parte
IRLMS2002GTRPBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-23-6
Pacchetto dispositivo del fornitore
Micro6™(SOT23-6)
Dissipazione di potenza (massima)
2W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
6.5A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
22nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1310pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±12V
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