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IRLHS6276TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Numero di parte
IRLHS6276TRPBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-VQFN
Potenza: max
1.5W
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-PQFN (2x2)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4.5A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
3.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 10V
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