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IRLH5036TRPBF
MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN
Numero di parte
IRLH5036TRPBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
PQFN (5x6)
Dissipazione di potenza (massima)
3.6W (Ta), 160W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
20A (Ta), 100A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5360pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±16V
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