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IRF9333PBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO
Numero di parte
IRF9333PBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Discontinued at Digi-Key
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Dissipazione di potenza (massima)
2.5W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
9.2A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
19.4 mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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