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IRF8513TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Numero di parte
IRF8513TRPBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza: max
1.5W, 2.4W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
8A, 11A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
766pF @ 15V
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