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IPS70R600CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251
Numero di parte
IPS70R600CEAKMA1
Produttore/Marchio
Serie
CoolMOS™
Stato della parte
Discontinued at Digi-Key
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO251-3
Dissipazione di potenza (massima)
86W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
Super Junction
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
700V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10.5A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.5V @ 0.21mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
474pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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IPS70R600CEAKMA1 Componenti elettronici
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