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IPP80N04S3-04
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Numero di parte
IPP80N04S3-04
Produttore/Marchio
Serie
OptiMOS™
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO220-3-1
Dissipazione di potenza (massima)
136W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
80A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4.1 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
80nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5200pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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