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IPL60R105P7AUMA1
MOSFET N-CH 4VSON
Numero di parte
IPL60R105P7AUMA1
Produttore/Marchio
Serie
CoolMOS™ P7
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-VSON-4
Dissipazione di potenza (massima)
137W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
33A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 530µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1952pF @ 400V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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