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IPI80P04P407AKSA1
MOSFET P-CH TO262-3
Numero di parte
IPI80P04P407AKSA1
Produttore/Marchio
Serie
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO262-3-1
Dissipazione di potenza (massima)
88W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
80A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
7.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
89nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
6085pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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