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IPD95R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 4A TO252
Numero di parte
IPD95R2K0P7ATMA1
Produttore/Marchio
Serie
CoolMOS™ P7
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO252-3
Dissipazione di potenza (massima)
37W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
950V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.5V @ 80µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 400V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
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