L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
IPD80R2K8CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Numero di parte
IPD80R2K8CEBTMA1
Produttore/Marchio
Serie
CoolMOS™
Stato della parte
Discontinued at Digi-Key
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-252-3
Dissipazione di potenza (massima)
42W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
800V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.9A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.9V @ 120µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 13362 PCS
Informazioni sui contatti
Prodotti correlati
Parole chiave di IPD80R2K8CEBTMA1
IPD80R2K8CEBTMA1 Componenti elettronici
IPD80R2K8CEBTMA1 Vendita
IPD80R2K8CEBTMA1 fornitore
IPD80R2K8CEBTMA1 Distributore
IPD80R2K8CEBTMA1 Tabella dati
IPD80R2K8CEBTMA1 Fotografie
IPD80R2K8CEBTMA1 Prezzo
IPD80R2K8CEBTMA1 Offerta
IPD80R2K8CEBTMA1 Prezzo più basso
IPD80R2K8CEBTMA1 Ricerca
IPD80R2K8CEBTMA1 Acquisto
IPD80R2K8CEBTMA1 Patata fritta