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IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Numero di parte
IPD80R1K4CEBTMA1
Produttore/Marchio
Serie
CoolMOS™
Stato della parte
Discontinued at Digi-Key
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-252-3
Dissipazione di potenza (massima)
63W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
800V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3.9A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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