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IPD60R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Numero di parte
IPD60R650CEBTMA1
Produttore/Marchio
Serie
CoolMOS™ CE
Stato della parte
Discontinued at Digi-Key
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO252-3
Dissipazione di potenza (massima)
82W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
7A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
20.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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