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IPD30N06S223ATMA1
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Numero di parte
IPD30N06S223ATMA1
Produttore/Marchio
Serie
OptiMOS™
Stato della parte
Discontinued at Digi-Key
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO252-3
Dissipazione di potenza (massima)
100W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
55V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
30A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
32nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
901pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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