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IPD12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Numero di parte
IPD12CNE8N G
Produttore/Marchio
Serie
OptiMOS™
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO252-3
Dissipazione di potenza (massima)
125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
85V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
67A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
12.4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
64nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4340pF @ 40V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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