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IPB65R110CFDAATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Numero di parte
IPB65R110CFDAATMA1
Produttore/Marchio
Serie
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
D²PAK (TO-263AB)
Dissipazione di potenza (massima)
277.8W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
31.2A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
118nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3240pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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