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IPB65R095C7ATMA2
MOSFET N-CH TO263-3
Numero di parte
IPB65R095C7ATMA2
Produttore/Marchio
Serie
CoolMOS™ C7
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO263-3
Dissipazione di potenza (massima)
128W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
24A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2140pF @ 400V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
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