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BSC027N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
Numero di parte
BSC027N06LS5ATMA1
Produttore/Marchio
Serie
OptiMOS™
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TDSON-8
Dissipazione di potenza (massima)
83W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
100A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.3V @ 49µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 30V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
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