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AUIRF7343Q
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Numero di parte
AUIRF7343Q
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tube
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza: max
2W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Tipo FET
N and P-Channel
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
55V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4.7A, 3.4A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 25V
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