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AUIRF7309QTR
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Numero di parte
AUIRF7309QTR
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza: max
1.4W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Tipo FET
N and P-Channel
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4A, 3A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 15V
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