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AUIRF2804L
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Numero di parte
AUIRF2804L
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-262
Dissipazione di potenza (massima)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
195A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
240nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
6450pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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