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GSID200A170S3B1
SILICON IGBT MODULES
Numero di parte
GSID200A170S3B1
Produttore/Marchio
Serie
Amp+™
Stato della parte
Active
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto/custodia
D-3 Module
Potenza: max
1630W
Configurazione
2 Independent
Pacchetto dispositivo del fornitore
D3
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
400A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
1200V
Corrente - Interruzione collettore (max)
1mA
Tipo IGBT
-
Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 200A
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
26nF @ 25V
Ingresso
Standard
Termistore NTC
No
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GSID200A170S3B1 Componenti elettronici
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