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EPC2112ENGRT
Schede tecniche

EPC2112ENGRT

200 V GAN IC FET DRIVER
Numero di parte
EPC2112ENGRT
Produttore/Marchio
EPC
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
-
Caratteristiche
-
Applicazioni
DC-DC Converters
Pacchetto/custodia
-
Interfaccia
On/Off
Pacchetto dispositivo del fornitore
-
Tensione - Alimentazione
4.5 V ~ 5.5 V
Corrente - Uscita/Canale
10A
Corrente - Uscita di picco
40A
Protezione dai guasti
-
Configurazione dell'uscita
High Side
Tipo di carico
Inductive
Rds attivato (tip.)
32 mOhm
Tensione - Carico
4.5 V ~ 5.5 V
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