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EPC2110ENGRT
Schede tecniche

EPC2110ENGRT

TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
Numero di parte
EPC2110ENGRT
Produttore/Marchio
EPC
Serie
eGaN®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
Die
Potenza: max
-
Pacchetto dispositivo del fornitore
Die
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Source
Funzionalità FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
120V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3.4A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
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