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EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Numero di parte
EPC2108ENGRT
Produttore/Marchio
EPC
Serie
eGaN®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
9-VFBGA
Potenza: max
-
Pacchetto dispositivo del fornitore
9-BGA (1.35x1.35)
Tipo FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Funzionalità FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V, 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.7A, 500mA
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
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