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EPC2100
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Numero di parte
EPC2100
Produttore/Marchio
Serie
eGaN®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
Die
Potenza: max
-
Pacchetto dispositivo del fornitore
Die
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funzionalità FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
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