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EPC2051ENGRT

EPC2051ENGRT

TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR
Numero di parte
EPC2051ENGRT
Produttore/Marchio
Serie
eGaN®
Stato della parte
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
Die
Pacchetto dispositivo del fornitore
Die
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.7A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 1.5mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
2.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 50V
Vg (massimo)
+6V, -4V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
5V
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Parole chiave di EPC2051ENGRT
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