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EPC2030
MOSFET NCH 40V 31A DIE
Numero di parte
EPC2030
Produttore/Marchio
Serie
eGaN®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
-
Pacchetto/custodia
-
Pacchetto dispositivo del fornitore
-
Dissipazione di potenza (massima)
-
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
31A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 16mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
18nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
-
Vg (massimo)
-
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