L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
EPC2016C
TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
Numero di parte
EPC2016C
Produttore/Marchio
Serie
eGaN®
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
Die
Pacchetto dispositivo del fornitore
Die
Dissipazione di potenza (massima)
-
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
18A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
4.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 50V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
5V
Vg (massimo)
+6V, -4V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 30933 PCS
Informazioni sui contatti
Prodotti correlati
Parole chiave di EPC2016C
EPC2016C Componenti elettronici
EPC2016C Vendita
EPC2016C fornitore
EPC2016C Distributore
EPC2016C Tabella dati
EPC2016C Fotografie
EPC2016C Prezzo
EPC2016C Offerta
EPC2016C Prezzo più basso
EPC2016C Ricerca
EPC2016C Acquisto
EPC2016C Patata fritta