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EPC2012C
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Numero di parte
EPC2012C
Produttore/Marchio
Serie
eGaN®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
Die
Pacchetto dispositivo del fornitore
Die Outline (4-Solder Bar)
Dissipazione di potenza (massima)
-
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
5A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
1.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
5V
Vg (massimo)
+6V, -4V
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