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NESG7030M04-A
DISCRETE RF DIODE
Numero di parte
NESG7030M04-A
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Bulk
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-343F
Potenza: max
125mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
M04
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
30mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
4.3V
Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 5mA, 2V
Frequenza - Transizione
5.8GHz
Figura di rumore (dB tipo @ f)
0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
Guadagno
14dB ~ 21dB
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