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AON7200_102
MOSFET N-CH DFN
Numero di parte
AON7200_102
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Last Time Buy
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-DFN-EP (3x3)
Dissipazione di potenza (massima)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
15.8A (Ta), 40A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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