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AON6812

AON6812

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN
Numero di parte
AON6812
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Potenza: max
4.1W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-DFN-EP (5.2x5.55)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
27A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1720pF @ 15V
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