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AON2707
MOSFET P-CH 30V 4A DFN
Numero di parte
AON2707
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-DFN-EP (2x2)
Dissipazione di potenza (massima)
2.8W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
Schottky Diode (Isolated)
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
117 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
305pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 10V
Vg (massimo)
±12V
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