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ALD212900PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Numero di parte
ALD212900PAL
Produttore/Marchio
Serie
EPAD®, Zero Threshold™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
temperatura di esercizio
0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Potenza: max
500mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-PDIP
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
80mA
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
14 Ohm
Vgs(esimo) (Max) @ Id
20mV @ 20µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 5V
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