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ALD1110ESAL
MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
Numero di parte
ALD1110ESAL
Produttore/Marchio
Serie
EPAD®
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
temperatura di esercizio
0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza: max
600mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SOIC
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
10V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
-
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
500 Ohm @ 5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.01V @ 1µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2.5pF @ 5V
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