The FOD814 consists of two Gallium Arsenide infrared emitting diodes in a 4-pin dual-wire encapsulation, connected in anti-parallel, driving a silicon phototransistor output. The FOD817 series includes a Gallium Arsenide Infrared Emitting Diode driving a Silicon Phototransistor within a 4-pin 2-in-line encapsulation.
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.