onsemi (Ansemi)
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FDMC2610 N-Channel 200V 9.5A 2.2A N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 9.5A, 200mΩ

FDMC2610

N-Channel 200V 9.5A 2.2A N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 9.5A, 200mΩ
Numero di parte
FDMC2610
Categoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Produttore/Marchio
onsemi (Ansemi)
Incapsulamento
WDFN-8
Imballaggio
taping
Numero di pacchi
3000
Descrizione
This N-channel MOSFET is a rugged gate version of the advanced Power Trench process. This product is ideal for power management applications.
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