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onsemi (Ansemi)

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1N5821G

30V 3A [email protected] Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V

Numero di parte

1N5821G

Categoria

Diodes > General Purpose Diodes

Produttore/Marchio

onsemi (Ansemi)

Incapsulamento

DO-27

Imballaggio

boxed

Numero di pacchi

500

Descrizione

The Schottky rectifier uses the Schottky barrier principle and uses a large area metal-silicon power diode. The advanced geometry of this Schottky rectifier features chromium barrier metal, epitaxial structure with oxide passivation, and metal-covered contacts. The rectifier is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.

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